영문홈페이지 가기 아이콘 ENG
  • SNS
자동 로그아웃 안내
자동 로그아웃 남은시간

개인정보 보호를 위해 5분 후 자동으로 로그아웃 됩니다. 로그인 시간을 연장하시려면 로그인 연장하기 버튼을 클릭하여 주세요.

로그인 시간을 연장하시겠습니까?

무엇이 궁금하신가요?

    추천키워드

    JBNU News

    김현규 박사과정생, 차세대 3D DRAM 연구 ‘우수’

    • 홍보실
    • 2025-12-03
    • 조회수 31

    전북대학교 전자정보공학부 김현규 박사과정생(지도교수 김기현) 이 세계적 전기·전자공학 학술단체 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 가 주관하는 국제학술대회 ‘IEEE TENCON 2025’ 에서 ‘Best Paper Award(우수논문상)’ 을 수상했다.

     

    IEEE TENCON은 전기·전자·반도체·인공지능·통신·제어 등 다양한 분야의 최신 연구 성과가 발표되는 아시아·태평양 지역 최대 규모의 국제학술대회로, 세계 최대 기술 전문가 단체인 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 가 주관한다. IEEE는 전 세계 160여 개국, 40만 명 이상의 회원을 보유한 전기·전자 분야의 가장 권위 있는 학술·표준화 기관으로, IEEE TENCON은 매년 20여 개국 이상에서 수백 편의 논문이 발표되는 국제적인 행사이다.

     

    김현규 박사과정이 발표한 논문의 제목은 “Design of Highly Stackable Charge Trap-Based 3D DRAM”으로, 기존 DRAM 메모리의 구조적 한계를 극복하고 고집적·저전력·고속 동작이 가능한 차세대 1T 3D DRAM에 대한 연구결과를 발표했다. 제안된 소자는 커패시터가 없는 1T 구조로 우수한 데이터 유지 특성, 높은 집적도 및 효율적인 열 방출 성능을 확보했으며, 금속 실리사이드 공정을 통한 Schottky contact과 ONO 절연막 두께 조절을 통해 Charge Trap 기반 메모리에서도 고속·저전력 동작이 가능함을 입증하였다.

     

    김현규 학생은 “이번 연구는 차세대 메모리 반도체의 집적 한계를 극복하고, AI·고성능 컴퓨팅 등 다양한 분야에 적용 가능한 새로운 메모리 구조를 제시한 점에서 의미가 크다. 전북대 반도체 연구팀이 세계 수준의 기술 경쟁력을 갖추고 있음을 보여준 사례”라고 말했다.

     

    이번 연구는 기존 DRAM의 집적 한계와 공정 복잡성을 극복할 수 있는 새로운 메모리 아키텍처를 제시한 것으로, 향후 AI 및 고성능 컴퓨팅용 차세대 반도체 기술 개발의 핵심 기반이 될 것으로 기대된다. 연구진은 앞으로도 실리콘 기반 차세대 3D 메모리 소자 개발 및 상용화 연구를 지속적으로 추진할 계획이다.

     

    한편, 이번 연구는 차세대지능형반도체기술개발사업(RS-2025-02653773)과 4단계 BK21 사업의 지원을 받아 수행되었다.



    미리보기

    최종수정일
    2024-11-19

    이 페이지에서 제공하는 정보에 대하여 만족하십니까?

    만족도조사결과 (참여인원:0명)

    요약설명보기

    만족도 조사에 참여해 주셔서 감사합니다.
    현재 페이지의 만족도 투표는 총 0명이 참여하였으며, 현재 "매우만족"이 0표로 가장 많은 표를 받았습니다.
    투표에 참여한 이용자들은 현 페이지에 대해 "매우만족" 하고 있습니다.

    닫기

    • 매우만족
      0표
    • 만족
      0표
    • 보통
      0표
    • 불만족
      0표
    • 매우불만족
      0표

    닫기

    Loading