특강세미나
제목
반도체물성연구소 세미나 안내
반도체물성연구소 | 2005-09-21 | 조회 1215
본문 내용
반도체물성연구소 세미나를 안내하오니 관심있는 분들의 참여 바랍니다.
일시: 2005년 9월 22일 (목요일) 오후 4:00
장소: 반도체물성연구소 104 호실
제목: GaN 와 ZnO 관련 단파장 레이저의 에너지밴드공학
연사: 대구카톨릭대학교, 전자공학과, 박승환 교수님
초록:
본 연구에서는 GaN 관련 단파장 레이저의 전기적 및 광학적 특성을 6x6 Luttinger-Khon 하밀토니안과 다체효과를 고려한 Non-Markovian 이득 모델을 사용하여 조사하였으며, 최근에 관심의 대상이 되고 있는 ZnO 기반의 단파장 레이저의 특성도 함께 검토하였다. 적용된 시스템은 InGaN/GaN 와 GaN/AlGaN 양자우물 구조이며, 압전장과 자발분극을 고려하면서 결정성장방향에 따른 특성변화를 조사하였다. 결정성장방향이 라디안인 결정성장방향의 경우 기존의 (0001) 구조에 비해 문턱전류밀도를 약 반정도로 줄일 수 있음을 보여주었다. 또한, 이러한 결정성장방향에 따른 레이저의 성능향상이 GaN/AlGaN 양자우물보다는 InGaN/GaN 양자우물구조가 더 크게 나타남을 보여주었는데, 이것은 가전자띠 Luttinger 인자가 InGaN의 경우가 더 작음에 기인하였다. 또한, ZnO/ZnMgO 양자우물 구조의 경우 기존의 GaN 에 기반을 둔 레이저 보다 레이저 특성이 우수할 것으로 기대되는 결과를 얻었는데, 이것은 Mg 의 첨가량이 적을 경우 압전장과 자발분극이 서로 상쇄되어 내부장효과가 사라지는 효과 때문인 것으로 나타났다. MgO 에 대한 자발분극상수는 실험과의 비교결과 약 -0.070 C/ 인 것으로 나타났으며, ZnO 의 -0.050 C/ 보다 큰 값을 보여주었다.
일시: 2005년 9월 22일 (목요일) 오후 4:00
장소: 반도체물성연구소 104 호실
제목: GaN 와 ZnO 관련 단파장 레이저의 에너지밴드공학
연사: 대구카톨릭대학교, 전자공학과, 박승환 교수님
초록:
본 연구에서는 GaN 관련 단파장 레이저의 전기적 및 광학적 특성을 6x6 Luttinger-Khon 하밀토니안과 다체효과를 고려한 Non-Markovian 이득 모델을 사용하여 조사하였으며, 최근에 관심의 대상이 되고 있는 ZnO 기반의 단파장 레이저의 특성도 함께 검토하였다. 적용된 시스템은 InGaN/GaN 와 GaN/AlGaN 양자우물 구조이며, 압전장과 자발분극을 고려하면서 결정성장방향에 따른 특성변화를 조사하였다. 결정성장방향이 라디안인 결정성장방향의 경우 기존의 (0001) 구조에 비해 문턱전류밀도를 약 반정도로 줄일 수 있음을 보여주었다. 또한, 이러한 결정성장방향에 따른 레이저의 성능향상이 GaN/AlGaN 양자우물보다는 InGaN/GaN 양자우물구조가 더 크게 나타남을 보여주었는데, 이것은 가전자띠 Luttinger 인자가 InGaN의 경우가 더 작음에 기인하였다. 또한, ZnO/ZnMgO 양자우물 구조의 경우 기존의 GaN 에 기반을 둔 레이저 보다 레이저 특성이 우수할 것으로 기대되는 결과를 얻었는데, 이것은 Mg 의 첨가량이 적을 경우 압전장과 자발분극이 서로 상쇄되어 내부장효과가 사라지는 효과 때문인 것으로 나타났다. MgO 에 대한 자발분극상수는 실험과의 비교결과 약 -0.070 C/ 인 것으로 나타났으며, ZnO 의 -0.050 C/ 보다 큰 값을 보여주었다.
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